特許
J-GLOBAL ID：200903010651666431
単結晶シリコン棒の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038474
公開番号（公開出願番号）：特開平5-208892
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 断面内の抵抗率分布を均一化した不純物ドープシリコン単結晶を得る。【構成】 チョクラルスキー法により、不純物元素をドープしたシリコン単結晶を引上げる際、ルツボ回転速度を周期的に変化させる。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により、不純物元素をドープしたシリコン単結晶を引上げる際、ルツボ回転速度を周期的に変化させることで結晶中の断面内の抵抗率分布を改善することを特徴とする単結晶シリコン棒の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 15/30
, C30B 15/04
, C30B 29/06 502
