特許
J-GLOBAL ID:200903010653844426
薄膜状誘電体およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
久保山 隆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-091182
公開番号(公開出願番号):特開平8-290903
出願日: 1995年04月17日
公開日(公表日): 1996年11月05日
要約:
【要約】 (修正有)【構成】一般式(1)で示される組成を有し、膜厚0.02〜5μmである薄膜状誘電体。(Ax R1-x )u Cv Bw Oz (1)(式中、AはCa、Sr、Ba、Pb、Cdより選ばれた1または2以上の元素、RはLa、Ce、Y等より選ばれた1または2以上の元素、CはBi、Sc、Sb、Cr、Tlより選ばれた1または2以上の元素、Ti、Ta、Hf、W、Nb、Zrより選ばれた1または2以上の元素。xは0≦x<0.99の範囲で、u、v、w及びzは全体の電荷が0になるように決める。)有機溶媒に可溶な、元素Aの化合物、元素Rの化合物、元素Cの化合物及び元素Bの化合物を主成分として含む溶液を用いて該誘電体を製造する。【効果】従来に比べ比誘電率、比誘電率の温度係数、メモリーの保持性、スイッチング疲労特性、リーク電流特性等の誘電特性に優れる。
請求項(抜粋):
一般式(1)で示される組成を有し、膜厚0.02〜5μmであることを特徴とする薄膜状誘電体。【化1】(Ax R1-x )u Cv Bw Oz (1)(式中、AはCa、Sr、Ba、Pb、Cdより選ばれた1または2以上の元素、RはLa、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Yより選ばれた1または2以上の元素、CはBi、Sc、Sb、Cr、Tlより選ばれた1または2以上の元素、BはTi、Ta、Hf、W、Nb、Zrより選ばれた1または2以上の元素である。xは0≦x<0.99の範囲にあり、u、v、w及びzは全体の電荷が0になるように決められる。)
IPC (5件):
C01B 13/32
, C01G 29/00
, H01B 3/00
, H01B 3/12
, H01G 4/33
FI (6件):
C01B 13/32
, C01G 29/00
, H01B 3/00 F
, H01B 3/00 H
, H01B 3/12
, H01G 4/06 102
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