特許

J-GLOBAL ID：200903010657902803

半導体装置の配線取り出し構造

発明者： 村手 真 ,  糸魚川 貢一
出願人/特許権者： 株式会社東海理化電機製作所
代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354485
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177112
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】気密性を向上させ信頼性の向上を図ることができる半導体装置の配線取り出し構造を提供する。【解決手段】シリコン基板11の表面に、レジストにてマスクしそのマスク12の拡散配線を形成する個所をエッチングして開口する。続いて、イオン注入方法にて、不純物元素(例えばホウ素)をエッチングにて開口した部分のシリコン基板11に注入する。続いて、熱処理を行いシリコン基板11に注入された不純物元素を活性化させる。活性化させた後、先に形成させたマスクを除去することによって拡散配線13の形成は終了する。その後、拡散配線13が形成されたシリコン基板11がガラス板14と陽極接合に接合させる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上の回路素子をガラス板にて陽極接合で封止し、該回路素子と外部電極とを接続するための拡散配線を、イオン注入による拡散方法にて作られていることを特徴とする半導体装置の配線取り出し構造。

IPC (2件)：

H01L 29/84 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 29/84 A ,  H01L 21/88 B

Fターム (18件)：

4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA31 ,  4M112CA33 ,  4M112DA02 ,  4M112DA10 ,  4M112DA12 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA13 ,  5F033HH01 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033PP31 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033VV08 ,  5F033VV13