特許
J-GLOBAL ID:200903010658043529

微細パターンを含むパターンを形成する為のマスク及びそのマスクを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-231048
公開番号(公開出願番号):特開平8-095230
出願日: 1994年09月27日
公開日(公表日): 1996年04月12日
要約:
【要約】【目的】 微細パターンを含むパターンを形成する為のマスク及びそのマスクを用いたパターン形成方法に関し、位相シフト・パターンを単純化することに依って、位相シフト・パターンの設計及びコンピュータへの入力に要する時間を短縮しようとする。【構成】 必要とする全体のパターンから取り出された位相シフトを必要とする微細パターンである露光パターン11A及びその露光パターン11Aに対応する位相シフト・パターン11Bをもつマスク11、及び、必要とする全体のパターンから取り出された位相シフトを必要としないパターンである露光パターン12Aをもつマスク12で一組になっていて、その両方を用いて露光を行うことで、全体のパターンを形成する。
請求項(抜粋):
必要とする全体のパターンから取り出された位相シフトを必要とする微細パターン及びその微細パターンに対応する位相シフト・パターンをもつマスクと、必要とする全体のパターンから取り出された位相シフトを必要としないパターンをもつマスクとからなることを特徴とする微細パターンを含むパターンを形成する為のマスク。
IPC (3件):
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (2件):
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

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