特許

J-GLOBAL ID：200903010660588605

フッ素含有マレイミド系共重合体

発明者： 上田 賢一 ,  山口 稔 ,  南 茂幸 ,  浅子 佳延
出願人/特許権者： 株式会社日本触媒
代理人 (1件)： 安富 康男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-133902
公開番号（公開出願番号）：特開2002-327022
出願日： 2001年05月01日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 耐熱性や熱安定性に優れると共に、低誘電率を達成することができ、しかも、溶剤への溶解性に優れて加工しやすいことから、電子材料、基板材料等を含めた各種の用途に用いることができるフッ素含有マレイミド系共重合体を提供する。【解決手段】 マレイミド単量体構造とオレフィン単量体構造とを必須とするフッ素含有マレイミド系共重合体であって、該マレイミド単量体構造は、N-フルオロアリールマレイミド単量体構造及び/又はN-フルオロアルキルアリールマレイミド単量体構造であるフッ素含有マレイミド系共重合体。

請求項（抜粋）：

マレイミド単量体構造とオレフィン単量体構造とを必須とするフッ素含有マレイミド系共重合体であって、該マレイミド単量体構造は、N-フルオロアリールマレイミド単量体構造及び/又はN-フルオロアルキルアリールマレイミド単量体構造であることを特徴とするフッ素含有マレイミド系共重合体。

IPC (2件)：

C08F222/40 ,  C08F232/00

FI (2件)：

C08F222/40 ,  C08F232/00

Fターム (13件)：

4J100AM47P ,  4J100AR11Q ,  4J100AR16Q ,  4J100AR17Q ,  4J100AR18Q ,  4J100AU21Q ,  4J100BA03 ,  4J100BA05 ,  4J100BA31 ,  4J100BB01 ,  4J100BC43 ,  4J100CA04 ,  4J100JA43

引用特許：

審査官引用 (1件)

• フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体、フォトレジスト重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-109507   出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター