特許
J-GLOBAL ID：200903010664409020
光弁用半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-088127
公開番号（公開出願番号）：特開平7-294958
出願日： 1994年04月26日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 強い光を照射でき、開口率の高い小型の光弁装置を形成できる光弁用半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 単結晶シリコン基板上に形成された画素領域と駆動回路を同一チップ内に内蔵した光弁用半導体装置において、画素電極は画素スイッチトランジスタなどの能動素子及びキャパシターなどを含む画素の表面全体を覆うように形成され、隣接する画素電極間には光吸収層が形成され、画素電極表面は、光吸収層表面と同一平面をなすように平坦化かつ平滑化されており光反射機能を有するようにしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板上に形成された画素領域と駆動回路とを同一チップ内に内蔵し、該画素領域は画素スイッチトランジスタとキャパシタ領域とが形成された光弁用半導体装置において、画素電極は金属からなる光反射膜から成ることを特徴とする光弁用半導体装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/015 505
, G02F 1/1343
, H01L 29/78
