半球型グレーンの多結晶シリコン膜を持つ半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001023
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335609
出願日： 1998年01月06日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】セルキャパシタンスを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】非晶質シリコン膜が形成された半導体基板をチャンバにローディングする段階100と、チャンバを570〜600°Cの第1温度へ昇温させる段階200と、第1温度でチャンバにシリコンソースガスを注入して非晶質シリコン膜上に選択的に第1シリコン結晶核を形成する段階300と、チャンバを550〜590°Cの第2温度へ温度を下げながらチャンバにシリコンソースガスを注入して第1シリコン結晶核の大きさより大きい第2シリコン結晶核を形成する段階400と、結果物をアニリングすることで第2シリコン結晶核を成長させて半球型のグレーンを持つ多結晶シリコン膜を形成する段階500とを備えた方法とした。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に不純物がドーピングされた非晶質シリコン膜を形成する段階と、前記非晶質シリコン膜が形成された半導体基板をチャンバにローディングする段階と、前記チャンバを第1温度に昇温させる段階と、前記第1温度で前記チャンバにシリコンソースガスを注入して前記非晶質シリコン膜上に選択的に第1シリコン結晶核を形成する段階と、前記チャンバを第2温度に下げながら前記チャンバにシリコンソースガスを注入して前記第1シリコン結晶核より大きい第2シリコン結晶核を形成する段階と、前記結果物をアニリングすることで前記第2シリコン結晶核を成長させ半球型のグレーンを持つ多結晶シリコン膜を形成する段階とを含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 B , H01L 27/04 C

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