特許

J-GLOBAL ID：200903010667785449

薄膜太陽電池

発明者： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-331442
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172193
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 保護層を簡略できる生産性に優れた、太陽光が透明基体から入射する構成の太陽電池において、高いエネルギー変換効率が得られる太陽電池を提供する。【解決手段】 透明基体5上にMoあるいはNi等を用いた櫛形あるいは格子状の形状の電極薄膜6を形成し、前記金属膜上にCuInSe2等のIb族とIIIa族とVIa族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜7を形成する。前記半導体薄膜上に、CdSあるいはZnO等の前記半導体薄膜より広い禁制帯幅を有する薄膜8を堆積し、NiCrあるいはAu等の金属あるいはITO等の透明導電体薄膜を電極薄膜9として形成する。以上の薄膜の積層により構成される薄膜太陽電池。

請求項（抜粋）：

透明基体と第1層の金属あるいは導電体からなる櫛形あるいは格子状の形状の電極薄膜と、第2層のIb族とIIIa族とVIa元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜と、第3層の金属あるいは透明導電体からなる電極薄膜から構成される薄膜太陽電池。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C23C 14/06 ,  H01L 29/40

FI (3件)：

H01L 31/04 E ,  C23C 14/06 D ,  H01L 29/40 A