MOS増幅型撮像装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：最上健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-242325
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064332
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】画素の受光面積を増大させても増幅率が変化せず優れたS/Nを保持し、且つ検知可能な光量のダイナミックレンジを大きく取れるMOS増幅型撮像装置を提供する。【解決手段】 n型半導体基板1の上部に形成されたpウエル2の表面にMIS型フォトダイオード3を形成し、該MIS型フォトダイオード3の一部にオーバーラップさせてn型電荷蓄積領域4を形成する。電荷蓄積領域4はリセットスイッチ5を介してリセット電源VRSを接続されると共に、増幅トランジスタ6のゲート電極に接続され、増幅トランジスタ6の出力端子は選択スイッチ7を介して信号出力線8に接続される。遮光膜9により電荷蓄積領域4を含めてMIS型フォトダイオード3以外の領域は遮光され、MIS型フォトダイオード3のゲート電極に印加するゲート電圧VG を撮像条件に応じて変え、光電変換特性を切り替え可能に構成する。

請求項（抜粋）：

入射光量に応じた光電荷を生成するゲート電極を備えたMIS型フォトダイオードと、該MIS型フォトダイオードの少なくとも一部にオーバーラップさせて形成した該MIS型フォトダイオードで生成された光電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、該電荷蓄積領域の電位を初期化するリセットスイッチと、前記電荷蓄積領域に制御電極が接続され、前記蓄積電荷に応じた出力信号を発生する増幅トランジスタと、該増幅トランジスタの出力端子と出力信号線とを接続する選択スイッチとからなる画素を配列し構成したMOS増幅型撮像装置において、撮像条件に応じて前記MIS型フォトダイオードのゲート電極印加電圧を変化させるように構成したことを特徴とするMOS増幅型撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 E

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭60-046177
特開平4-134862
特開平3-290958

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審査官引用 (5件)

特開昭60-046177
特開平4-134862
特開平3-290958

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