半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174112
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021476
出願日： 1992年07月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】簡素化されたプロセスで、書き込み消去効率の高いEEPROMの製造方法を提供する。【構成】能動素子領域のうちコントロールゲート電極、フローティングゲート電極形成後これらゲート電極をマスクとし角度付き斜めイオン注入を行いドレイン方向からのイオン注入によりP型中濃度拡散層を、ソース方向からのイオン注入によりN型中濃度拡散層を形成する。ゲート電極をマスクとしウエハーに垂直にイオン注入を行いソース領域及びドレイン領域となる高濃度拡散層を形成する。【効果】ソースドレインどちらか一方のみにイオン注入を行うためのレジスト塗布工程を簡素化することができた。また角度を付けずにイオン注入し中濃度拡散層を形成する場合にみられた、コントロールゲート電極下に押し広げるための熱酸化工程を削除することができた。

請求項（抜粋）：

半導体基盤上にMOS構造で形成した、電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリー(Electrically erasable and programable ROM 以下EEPROM)において、フローティングゲート電極下部のチャネル領域のうち、ソースドレイン近傍にシリコン基板濃度と異なる濃度の拡散領域を、角度付き斜めイオン注入法により形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 21/265 F

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