特許

J-GLOBAL ID：200903010673356240

充填される凹部を材料層内に形成する方法、およびこの方法により形成される集積回路装置

発明者： ローベルト アイグナー ,  クラウス-ギュンター オッパーマン
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-559711
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520862
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：

【要約】少なくとも1つの第1の構造体(S1)および第2の構造体(S2)を複数のステップで形成することにより、凹部が材料層(S)に形成される。この層は横方向で相互に接しており、凹部の底部へ延在している。第1の構造体(S1)および第2の構造体(S2)は充分に狭く構成し、層(F1、F2)をコンフォーマルに形成することにより、この層の厚さが凹部から独立して凹部の深さよりも小さくなるようにする。コンフォーマルに形成される層(F1、F2)は適切な堆積プロセスにより形成される。第1の構造体(S1)および第2の構造体(S2)の上方にカバー構造体が形成され、このカバー構造体に開口部が設けられる。この開口部を通して第1の構造体(S1)および第2の構造体(S2)は1つのエッチングステップで除去することができる。

請求項（抜粋）：

凹部(V)のために設けられた領域で材料層(S)から材料層(S)の一部を除去して凹部(V)の底部を露出させ、 第1の充填層(F1)をほぼコンフォーマルに堆積して該充填層の厚さを凹部(V)の深さの約1/2よりも小さくすることにより、除去部分を凹部(V)の充填物の一部に対して設けられた少なくとも1つの第1の構造体(S1)によって補充し、 材料層(S)の領域の残りの部分を除去し、 第2の充填層(F2)をほぼコンフォーマルに堆積して該充填層の厚さを凹部(V)の深さの約1/2よりも小さくすることにより、残りの部分を凹部(V)の充填物の別の部分に対して設けられた少なくとも1つの第2の構造体(S2)によって補充する、ことを特徴とする充填される凹部(V)を材料層(S)内に形成する方法。

IPC (5件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/00 ,  G01P 15/08 ,  H04R 19/04 ,  H04R 31/00

FI (5件)：

H01L 29/84 Z ,  G01L 9/00 Z ,  H04R 19/04 ,  H04R 31/00 C ,  G01P 15/08 Z

Fターム (21件)：

2F055AA39 ,  2F055BB20 ,  2F055CC53 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055GG01 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA03 ,  4M112CA11 ,  4M112CA12 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA06 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112FA20 ,  5D021CC02 ,  5D021CC06 ,  5D021CC16