薄膜共振器装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三俣弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226698
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094373
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 TFRに加えられる電気信号に対して低い損失を生じる高品質TFRを提供すること。【解決手段】薄膜共振器(TFR)は、成長表面(40)上にエピタキシャル成長させられた改良されたピエゾ電気膜(46)を有するように製造され、ピエゾ電気膜はより少ない粒界を有することになる。エピタキシャル成長は、単結晶基板または成長表面の結晶学的方位からとられたまたはこれをエミュレートする結晶学的方位を有するピエゾ電気膜を意味する。例えば、成長表面としての単結晶シリコン基板上にピエゾ電気膜をエピタキシャル成長させることにより、粒界がほとんどないまたは全くない改良されたピエゾ電気膜が製造される。本発明の別の側面によれば、TFRを製造する方法は、まず基板上にピエゾ電気膜が成長させられる。続いて、基板の一部が除去されて、電極がピエゾ電気膜のいずれかの側の上に堆積される。

請求項（抜粋）：

成長表面(40)を準備するステップと、薄膜共振器のための共振周波数を提供する厚さに、前記成長表面(40)上でピエゾ電気膜(46)をエピタキシャル成長させるステップとを有することを特徴とする薄膜共振器装置の製造方法。

IPC (6件)：

H03H 3/02 , C23C 14/06 , C23C 16/34 , H01L 41/08 , H01L 41/22 , H03H 9/17

FI (6件)：

H03H 3/02 B , C23C 14/06 A , C23C 16/34 , H03H 9/17 F , H01L 41/08 D , H01L 41/22 Z

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭63-069280
圧電振動部品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-130447 出願人：ティーディーケイ株式会社
特開昭63-003505

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