特許
J-GLOBAL ID：200903010683738442
GaAs材料系のための長波長仮像InGaNPAsSbタイプIおよびタイプIIアクティブ層
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-535268
公開番号（公開出願番号）：特表2003-513476
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2003年04月08日
要約：
【要約】本発明は、光処理(たとえば、発光および光吸収/検出)デバイス、特に通信の応用形態において使用される場合があるような面発光レーザ(VCSEL)の改善された構造を開示する。開示されるVCCALデバイスおよびその製造方法は、GaAs含有基板上に成長する量子井戸構造を有するアクティブ領域を提供し、それにより光が1.0〜1.6μmの範囲の波長を有するための処理互換性を提供する。そのアクティブ層構造は、量子井戸において、ひずみ補償障壁と種々のバンドアライメントとを組み合わせ、長い放射波長を達成すると同時に、その構造内のひずみを低減する。開示されるデバイスの改善された機能は、多数の構成要素を有する多成分合金層でそれらのデバイスを形成することからなる。本発明は、アクティブ領域のために提案される合金層内の重要な構成要素として、その層に関連付けられるバンドギャップエネルギーを低減する(すなわち、光の波長を長くする)と同時に、その構造に関連する格子定数を低減し、それゆえひずみを低減するのに適した、窒素(N)のような物質を開示する。
請求項（抜粋）：
(a)基板および(b)アクティブ領域を含む光処理デバイスであって、前記基板はある格子定数を有する半導体材料を含み、前記アクティブ領域は、(i)In<SB>w</SB>Ga<SB>1-w</SB>N<SB>x</SB>P<SB>y</SB>As<SB>z</SB>Sb<SB>1-x-y-z</SB>(0≦w≦1、0<x<0.1、0≦y≦0.6、0<z<1)を含む少なくとも1つの仮像光処理層と、(ii)Al<SB>q</SB>Ga<SB>1-q</SB>N<SB>r</SB>P<SB>s</SB>As<SB>t</SB>Sb<SB>1-r-s-t</SB>(0≦q≦1、0≦r≦0.1、0≦s≦1、0<t<1)を含む少なくとも1つの仮像障壁層とを含む複数の層を含み、前記アクティブ領域内の前記複数の層はそれぞれ、任意の隣接する層の組成とは異なる組成を有することを特徴とする、光処理デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F073AA42
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA01
, 5F073CB02
, 5F073DA06
, 5F073EA29
