特許

J-GLOBAL ID：200903010687204680

不揮発性記憶装置及びそのリフレッシュ方法

発明者： 小堺 健司 ,  古沢 和則 ,  衛藤 潤 ,  中村 靖宏 ,  湯川 洋介 ,  伊澤 和人
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-172574
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027199
出願日： 1995年07月07日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】 しきい値のばらつき分布形状を急峻化させる方法およびこれによって安定した動作が可能な不揮発性記憶装置を提供する。【構成】 5V及び7Vのワード線電位で行った2つのデータ読出し結果を比較し、その相違に基づいて書込み不良セルを検出し、そのメモリセルに対して書込みを行う自己修復のための再書込み処理、並びに5Vのワード線電位で行ったデータ読出し結果を退避させるとともに、その退避データと3Vのワード線電位で行ったデータ読出し結果とを比較し、その相違に基づいて消去不良セルを検出し、そのメモリセルに対してプレライト及び消去を行い、さらに退避データの再書込みを行う自己修復のための消去・再書込み処理を行うことにより、しきい値電圧Vthのばらつき分布形状を急峻な形状に戻すようにした。

請求項（抜粋）：

少なくとも、不揮発性記憶素子からなるメモリセルアレイと、書込みベリファイの動作時にワード線に印加する書込みベリファイ電位、及び読出し動作時にワード線に印加する読出し電位もしくは該読出し電位と前記書込みベリファイ電位との間のレベルの中間ベリファイ電位を発生するベリファイ電位発生手段と、前記中間ベリファイ電位による第1段階データ読出し及び前記書込みベリファイ電位による第2段階データ読出しを行い、それら2段階のデータ読出し結果に基づいて書込み不良メモリセルの検出を行う書込み不良セル検出手段と、検出した書込み不良メモリセルに対して書込みパルスを印加する再書込み手段と、外部から所定の制御信号またはコマンドが入力されたときに上記各手段を起動してメモリセルのしきい値の自己修復を行う制御手段と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 303 ,  G11C 16/06

FI (2件)：

G11C 29/00 303 G ,  G11C 17/00 309 F