特許
J-GLOBAL ID：200903010688492140
半絶縁性GaAs単結晶基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273773
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089300
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：
【要約】【課題】高い比抵抗と高い活性化率とを兼ね備えた、半絶縁性GaAs単結晶基板を提供する。【解決手段】炭素濃度を2×1015cm-3以上、硼素濃度を1×1016cm-3以下、EL2濃度を2×1016cm-3以上とする。
請求項（抜粋）：
炭素濃度が2×1015cm-3以上であり、硼素濃度が1×1016cm-3以下であり、EL2濃度が2×1016cm-3以上であり、炭素濃度がEL2濃度以下であることを特徴とする半絶縁性GaAs単結晶基板。
Fターム (13件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB06
, 4G077AB10
, 4G077CF10
, 4G077EA04
, 4G077EH05
, 4G077EH10
, 4G077FE01
, 4G077FE11
, 4G077GA01
, 4G077GA07
, 4G077HA12
