特許

J-GLOBAL ID：200903010692479506

基板処理方法

発明者： 篠原 啓二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212620
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056014
出願日： 1996年08月12日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 化学的機械研磨法に由来するマイクロスクラッチが層間絶縁膜に形成されても、配線ショートをもたらすことのない基板処理方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板1上に形成された、TiN膜7およびタングステン膜8を有する被研磨材料を、化学的機械研磨法により研磨した後、その研磨された表面にさらにハロゲン系混合ガスを用いたプラズマ処理を施すことを特徴とする基板処理方法。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された被研磨材料を、化学的機械研磨法により研磨した後、その研磨された表面にさらにプラズマ処理を施す、ことを特徴とする基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/304 321 A ,  H01L 21/302 Z