半導体メモリおよびそれを用いた情報システム

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-027037
公開番号（公開出願番号）：特開平8-221320
出願日： 1995年02月15日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】不揮発性半導体メモリにおいて、センスアンプを交互に動作させることによって高速なシリアル読み出しと低消費電力化を図り、さらに読み出しディスターブ耐性の向上が可能な半導体メモリを提供する。【構成】携帯用電子機器などの不揮発性半導体メモリとして使用され、一括電気的消去および書き込み可能な読み出し専用のフラッシュメモリ(EEPROM)であって、センスアンプはアドレス変化の偶数アドレスと奇数アドレスに対応して、偶数アドレスの場合に動作する偶数側のセンスアンプと、奇数アドレスの場合に動作する奇数側のセンスアンプとが設けられ、これらはY系アドレスのアドレス変化を検出するATD回路と、タイミングジェネレータおよびバイナリカウンタにより生成されるタイミング信号によって、それぞれ交互に動作されるようになっている。

請求項（抜粋）：

メモリセルをマトリクス状に配置し、ワード線とデータ線との選択により任意のX系アドレスおよびY系アドレスのメモリセルをアクセスし、前記メモリセルのデータの書き換えを可能とする不揮発性半導体メモリであって、前記メモリセルから電流を電圧変換してデータを読み出す第1および第2のセンスアンプと、前記ワード線の選択によるY系アドレスのアドレス変化を検出する検出手段とが備えられ、前記メモリセルにおける読み出し動作において、前記検出手段によりアドレス変化の繰り返しにおける偶数アドレスと奇数アドレスとを検出し、前記繰り返しアドレスが偶数アドレスの場合には前記第1のセンスアンプを動作させ、また前記繰り返しアドレスが奇数アドレスの場合には前記第2のセンスアンプを動作させて、前記第1のセンスアンプと前記第2のセンスアンプとを交互に動作させることを特徴とする半導体メモリ。

IPC (7件)：

G06F 12/06 523 , G11C 16/06 , G11C 29/00 303 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

G06F 12/06 523 C , G11C 29/00 303 F , G11C 17/00 520 Z , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

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