特許

J-GLOBAL ID：200903010699119556

プラズマCVD法による成膜方法

発明者： 島田 浩行 ,  深田 武 ,  坂間 光範 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-180947
公開番号（公開出願番号）：特開平8-020874
出願日： 1994年07月07日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】 プラズマCVD装置において、成膜ダストを削減することを目的とする。【構成】 プラズマCVD装置において、プラズマを発生させるための交流電源として、高周波(周波数、10〜100MHz)を低周波(周波数、1k〜1MHz)で振幅変調し、これを極低周波(1〜200Hz)の繰り返し周波数でパルス発振させたものを用いることによって、成膜ダストを削減する。

請求項（抜粋）：

チャンバー内に設置されたプラズマ放電を発生する少なくとも一対の電極を有し、前記電極対から極低周波の繰り返し周波数でパルス的に高周波電力を前記電極に作用させることによってプラズマを発生させることを特徴とするプラズマCVD装置において、前記高周波電力は低周波の振幅変調がかけられていることを特徴とするプラズマCVD法による成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-200221   出願人：日新電機株式会社