特許

J-GLOBAL ID：200903010701160500

光起電力素子及びその形成方法及びその形成装置

発明者： 藤岡 靖 ,  酒井 明 ,  岡部 正太郎 ,  芳里 直 ,  保野 篤司 ,  田村 秀男 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-013561
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232433
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 高効率で低劣化の2層タンデム型の光起電力素子を大面積にバラツキやムラなく、高速かつ連続的に形成する。【構成】 RFにより第1導電型であるn型層(P型層)とマイクロ波によるi型層と、RFによるi型層と、プラズマドーピングにより第1導電型と反対導電型である第2導電型であるP型層(n型層)と、RFにより第1導電型であるn型層(P型層)とマイクロ波によるi型層と、RFによるi型層と、プラズマドーピングにより第2導電型であるP(n型層)とを有する光起電力素子。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有する第1半導体と、マイクロ波プラズマにより形成された第1i型半導体と、高周波プラズマにより形成された第2i型半導体と、第1導電型とは反対導電型を有する第2半導体と、第1の導電型を有する第3半導体と、マイクロ波プラズマにより形成された第3i型半導体と、高周波プラズマにより形成された第4i型半導体と、第1導電型とは反対導電型を有する第4半導体と、を有し、前記第2半導体及び前記第4半導体がプラズマドーピングによって形成されていることを特徴とする光起電力素子。

FI (2件)：

H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 T

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-177077
  
• 特開平4-333289
  
• 特開平4-299576
  
• 特開平1-103829
  
• 特開平3-273614