特許
J-GLOBAL ID：200903010703149716
半導体プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-316676
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150100
出願日： 1997年11月18日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 陰極降下電圧を制御して自己静電チャック現象を防止し、ウェーハが試料台に張り付くことを防いで冷却不足によるレジスト焦げを生じさせない半導体プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 処理すべきウェーハWを支持する電極からなる試料台12と、この試料台12に対向して配置された上部電極15と、試料台12を貫通して試料台12表面に冷却ガスを流出し、この冷却ガスを試料台12上のウェーハWに直接接触させて冷却する冷却ガス導入路17と、試料台12にキャパシタを介して接続された高周波電源22とを備えた半導体プラズマ処理装置において、キャパシタを可変容量キャパシタ23で構成し、試料台12の陰極降下電圧に応じて容量を変更可能にした。
請求項（抜粋）：
処理すべきウェーハを支持する電極からなる試料台と、この試料台に対向して配置された対向電極と、前記試料台を貫通して試料台表面に冷却ガスを流出し、この冷却ガスを試料台上のウェーハに直接接触させて冷却する冷却手段と、前記試料台にキャパシタを介して接続された高周波電源とを備えた半導体プラズマ処理装置において、前記キャパシタを可変容量キャパシタで構成し、前記試料台の陰極降下電圧に応じて容量を変更可能にしたことを特徴とする半導体プラズマ処理装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/302 C
, H05H 1/46 M
, H05H 1/46 R
