超純水製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：重野剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-068781
公開番号（公開出願番号）：特開2003-266097
出願日： 2002年03月13日
公開日（公表日）： 2003年09月24日
要約：

【要約】【課題】シリカ、ホウ素等の弱電解物質において、高い水質を要求される半導体等の分野に好適な、一次純水システムにおいてこれらを高度に除去することができる超純水製造装置を提供する。【解決手段】前処理システム1と、一次純水システム2と、サブシステム3とを有する超純水製造装置。一次純水システム2は、逆浸透膜分離装置22、脱ガス装置21、電気脱イオン装置23、紫外線酸化装置24、及び非再生型イオン交換装置25の順、或いは、脱ガス装置21、逆浸透膜分離装置22、電気脱イオン装置23、紫外線酸化装置24、及び非再生型イオン交換装置25の順で接続されて構成されている。

請求項（抜粋）：

前処理システムと、該前処理システムによって処理された前処理水を処理して一次純水とする一次純水システムと、一次純水を処理するサブシステムとを有する超純水製造装置において、該一次純水システムが、逆浸透膜分離装置、脱ガス装置、電気脱イオン装置、紫外線酸化装置、及び非再生型イオン交換装置の順で接続された構成とされていることを特徴とする超純水製造装置。

IPC (12件)：

C02F 9/00 503 , C02F 9/00 502 , C02F 9/00 , C02F 9/00 504 , B01D 19/00 , B01D 61/48 , C02F 1/20 , C02F 1/32 , C02F 1/42 , C02F 1/44 , C02F 1/469 , C02F 1/72 101

FI (16件)：

C02F 9/00 503 B , C02F 9/00 502 F , C02F 9/00 502 J , C02F 9/00 502 M , C02F 9/00 502 N , C02F 9/00 502 Z , C02F 9/00 504 B , C02F 9/00 504 D , B01D 19/00 H , B01D 61/48 , C02F 1/20 A , C02F 1/32 , C02F 1/42 A , C02F 1/44 J , C02F 1/72 101 , C02F 1/46 103

Fターム (58件)：

4D006GA03 , 4D006GA17 , 4D006GA32 , 4D006JA30Z , 4D006KA01 , 4D006KA31 , 4D006KA72 , 4D006KB04 , 4D006KB11 , 4D006KB17 , 4D006MA12 , 4D006MC54 , 4D006PA01 , 4D006PB02 , 4D006PB23 , 4D006PB70 , 4D006PC02 , 4D011AA14 , 4D011AA16 , 4D011AA17 , 4D011AD03 , 4D025AA04 , 4D025AB17 , 4D025AB33 , 4D025BB07 , 4D025DA01 , 4D025DA04 , 4D025DA05 , 4D025DA06 , 4D037AA03 , 4D037AB01 , 4D037BA18 , 4D037BA23 , 4D037CA03 , 4D037CA04 , 4D037CA11 , 4D037CA15 , 4D050AA05 , 4D050AB07 , 4D050BB02 , 4D050BB09 , 4D050BC09 , 4D050BD06 , 4D050CA03 , 4D050CA08 , 4D050CA09 , 4D050CA10 , 4D061DA02 , 4D061DB18 , 4D061DC18 , 4D061DC19 , 4D061EA09 , 4D061EB01 , 4D061EB04 , 4D061EB13 , 4D061EB37 , 4D061GA20 , 4D061GA21

引用特許：

審査官引用 (5件)

超純水製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-150263 出願人：オルガノ株式会社
純水の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-131569 出願人：栗田工業株式会社
超純水製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-344054 出願人：栗田工業株式会社

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