特許

J-GLOBAL ID：200903010710350095

洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置

発明者： 武知 弘明 ,  坪田 槙雄 ,  大沢 昭浩 ,  箕西 幹夫 ,  柴田 勲
出願人/特許権者： 株式会社小松製作所
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268672
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116813
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【目的】 洗浄水、キャリアガス、有機溶剤の温度が変化しても、常に有機溶剤蒸気が半導体基板上に凝縮することなく、短時間で良好な洗浄および乾燥を達成する。【解決手段】 本発明の第1では、処理槽内に、所望の温度に加熱された洗浄水を供給し、水面が固体を十分に覆う高さとなるように洗浄水層を形成し、この洗浄水中で前記固体を洗浄する洗浄工程と、前記処理槽の前記水面より上が不活性雰囲気となるように前記処理槽の上部に乾燥用薬液の蒸気を含む不活性ガスを供給し、不活性ガス層を形成する供給工程と、前記洗浄水層の水面を下降させるかまたは前記固体を洗浄水層から不活性ガス層にむけて通過させる通過工程とを含み、前記固体を洗浄乾燥する方法において、前記供給工程は、前記不活性ガス中の乾燥用薬液の蒸気が、前記半導体基板表面で凝縮を生じないように、前記洗浄水温度に基づいて、不活性ガス層中における、前記乾燥用薬液の蒸気の濃度および温度を、調整しつつ供給する工程であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

処理槽内に、所望の温度に加熱された洗浄水を供給し、水面が固体を十分に覆う高さとなるように洗浄水層を形成し、この洗浄水中で前記固体を洗浄する洗浄工程と、前記処理槽の前記水面より上が不活性雰囲気となるように前記処理槽の上部に乾燥用薬液の蒸気を含む不活性ガスを供給し、不活性ガス層を形成するガス供給工程と、前記洗浄水層の水面を下降させるかまたは前記固体を洗浄水層から不活性ガス層にむけて通過させる通過工程とを含み、前記固体を洗浄乾燥する方法において 前記供給工程は、前記不活性ガス中の乾燥用薬液の蒸気が、前記半導体基板表面で凝縮を生じないように、前記洗浄水温度に基づいて、不活性ガス層中における、前記乾燥用薬液の蒸気の濃度および温度を、調整しつつ供給する工程であることを特徴とする洗浄乾燥方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 351 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/08

FI (3件)：

H01L 21/304 351 C ,  H01L 21/304 351 V ,  B08B 3/08 Z