半導体読み出し専用メモリのセンス増幅回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008740
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198191
出願日： 1992年01月21日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】センスアンプの高速性、高利得を損なうことなく、センスアンプの反転電圧近傍まで高速充電を行うことができ、結果的に半導体読み出し専用メモリの高速読み出し動作が可可能になるセンス増幅回路を実現する。【構成】半導体読み出し専用メモリのセンス増幅回路に充電能力の大きな充電NMOSトランジスタ11および12を設け、センス増幅回路に接続されるセンスアンプの反転電圧近傍まで高速に充電する。

請求項（抜粋）：

メモリセルの出力線であるビット線に選択回路を介して接続されたデータ線を入力とするインバータを有する電位検出回路と、該電位検出回路の出力にゲート端が接続され、ドレイン端が充電回路或は電源ラインに接続された第1充電NMOSトランジスタと、該第1充電NMOSトランジスタのソース端に、ゲート端およびドレイン端が接続され、かつソース端が該データ線に接続された第2充電NMOSトランジスタと、該電位検出回路の出力にゲート端が接続され、かつソース端が該データ線に接続された電流検出用NMOSトランジスタおよび該電流検出用NMOSトランジスタに直列接続された電流検出用負荷デバイスを有する電流検出回路とを備えた半導体読み出し専用メモリのセンス増幅回路。

IPC (2件)：

G11C 17/18 , H01L 27/10 481

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-211398
特開平2-285593
特開昭61-230697

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