特許
J-GLOBAL ID：200903010713111741
光起電力素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-248528
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229209
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 光の透過率が大きく、ビルトインポテンシャルが大きく、界面準位の少ないドーピング層を用いた光起電力素子を提供する。【解決手段】 半導体接合を有する光起電力素子であって、そのドーピング層の主構成成分であるIV族元素の密度が小さくなっている領域(即ち、IV族元素低密度領域)が、当該ドーピング層の形成面内に散在することを特徴とする光起電力素子とする。また、主成分であるIV族元素の密度が小さくなっている低密度領域が離散的に存在するドーピング層と、少なくとも一部が微結晶からなる実質的に真性の半導体層とを有することを特徴とする光起電力素子とする。
請求項（抜粋）：
半導体接合を有する光起電力素子において、ドーピング層の主構成成分であるIV族元素の密度が小さくなっているIV族元素低密度領域が、ドーピング層の形成面内に散在することを特徴とする光起電力素子。
引用特許：
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