特許

J-GLOBAL ID：200903010713298850

ワイドバンドギヤツプ材料をpn電流阻止層に用いた半導体光素子

発明者： 入川 理徳 ,  岩瀬 正幸
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 齋藤 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327066
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013882
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 ワイドバンドギャップ材料をpn電流阻止層に用いて、当該電流阻止層による電流リーク抑制機能を高め、かつ、リーク電流を低減することのできる半導体光素子を提供する。【構成】 ダブルヘテロ構造の側部に埋め込み形成されたpn逆接合の電流阻止層(6、7、16、17、26、27、28、29)の少なくとも一部が、InPと格子整合し、かつ、室温でのバンドギャップがInPよりも大きい半導体層からなる。【効果】 電流阻止層の電流阻止能力が向上し、高温高出力動作時におけるリーク電流の増大を抑制して、高温、高注入電流下においても、光出力-電流特性の非直線性が殆どみられず、優れた温度特性、高温高出力動作を実現することができる。

請求項（抜粋）：

InP基板上に活性層を含むメサ型のダブルヘテロ構造が設けられており、該ダブルヘテロ構造の側部にpn接合からなる電流阻止層が埋め込み形成されている半導体光素子において、InPと格子整合し、室温でのバンドギャップがInPよりも大きい半導体層により、前記電流阻止層の少なくとも一部が形成されていることを特徴とするワイドバンドギャップ材料をpn電流阻止層に用いた半導体光素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-183583
  
• 特開昭60-062180
  
• 特開昭63-221690