特許

J-GLOBAL ID：200903010714103700

静電容量式半導体圧力センサ及びその試験方法

発明者： 中尾 知 ,  佐藤 昌啓 ,  西村 仁 ,  鈴木 孝直 ,  黒坂 昭人
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037105
公開番号（公開出願番号）：特開2000-234977
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】 ダイアフラム破損等を光学的に容易に検出できるようにした静電容量式半導体圧力センサを提供する。【解決手段】 圧力センサ本体1は、シリコンウェハ10の一方の主面に浅い第1の凹部13をエッチング加工し、他方の主面に深い第2の凹部14をエッチング加工して形成されたダイアフラム12とこれに連続する枠体部11を有する。圧力センサ本体1は、その凹部13側を下向きにしてガラス基板20に接合される。ガラス基板20上にはダイアフラム12に対向する電極として透明電極21が形成されている。耐圧試験後のダイアフラム12の破損等は、ガラス基板20の裏面から透明電極21を通して顕微鏡観察により検出する。

請求項（抜粋）：

透明基板と、この透明基板の表面にパターン形成された透明電極と、半導体ウェハを加工して形成された厚肉の枠体部とこれに連続する薄肉のダイアフラムとを有し、前記ダイアフラムの一方の面を前記透明電極に対向させて前記枠体部が前記透明基板に接合された半導体圧力センサ本体とを備えたことを特徴とする静電容量式半導体圧力センサ。

IPC (3件)：

G01L 9/12 ,  G01L 27/00 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 9/12 ,  G01L 27/00 ,  H01L 29/84 Z

Fターム (21件)：

2F055AA12 ,  2F055AA21 ,  2F055AA39 ,  2F055BB01 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF49 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  2F055GG49 ,  2F055HH01 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA02 ,  4M112DA02 ,  4M112DA17 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA13 ,  4M112FA11