特許
J-GLOBAL ID：200903010722517319
誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、その製造方法および強誘電体メモリの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-250852
公開番号（公開出願番号）：特開平11-092922
出願日： 1997年09月16日
公開日（公表日）： 1999年04月06日
要約：
【要約】【課題】 任意の組成を有する高密度の誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、およびこのようなターゲットを容易に製造できる方法を提供し、高性能の強誘電体メモリの製造を可能にする。【解決手段】 BiOx (x=0.5〜2.0)で表されるBi酸化物の粉末と、Sr(Ta1-x Nbx )2 Oy (x=0〜1、y=1〜20)で表される複合酸化物の粉末とを混合し、この混合粉末をホットプレスすることにより製造されたスパッタリングターゲットを用い、強誘電体膜を形成する。
請求項（抜粋）：
Bi酸化物相と、誘電体膜のBi以外の構成元素を含有する酸化物および金属単体からなる群より選択される少なくとも1種の相とが含まれることを特徴とする誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (11件)：
C23C 14/34
, C01G 29/00
, C01G 35/00
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
C23C 14/34 A
, C23C 14/34 N
, C01G 29/00
, C01G 35/00 C
, C01G 35/00 B
, H01L 27/10 451
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
