特許

J-GLOBAL ID：200903010723324077

スラリーおよびこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-115398
公開番号（公開出願番号）：特開平8-302338
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年11月19日
要約：

【要約】【目的】 研磨粒子が低濃度で従来の分散性を維持しており、しかも高粘性を有するスラリーとこのスラリーを用いた半導体装置の製造方法とを提供すること。【構成】 本発明のスラリーは、CMP法によって基体上に形成された層間膜の表面を研磨し、該表面を平坦化するためのスラリーであって、研磨粒子を含有した研磨粒子水溶液中に増粘剤が添加されてなるものである。また本発明の半導体装置の製造方法は、CMP法により、基体としてのウエハ1上に形成された層間絶縁膜5の表面を上記スラリーを供給しながら研磨する方法である。

請求項（抜粋）：

化学機械研磨法によって基体上に形成された被研磨層の表面を研磨し、該被研磨層の表面を平坦化する際に用いるスラリーであって、研磨粒子を含有した研磨粒子水溶液中に、増粘剤が添加されてなることを特徴とするスラリー。

IPC (3件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

C09K 3/14 550 J ,  C09K 3/14 550 E ,  H01L 21/304 321 P