基板加熱処理装置および温度制御方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-216911
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093829
出願日： 2000年07月18日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】加熱プレートの温度を迅速に変更することができる基板加熱処理装置を提供すること、および加熱プレートの温度の面内均一性を良好に維持しつつ加熱プレートの温度を迅速に変更することができる基板加熱処理装置およびそのような基板加熱処理装置における温度制御方法を提供すること。【解決手段】ウエハWにベーキング処理を行うための加熱プレート51内に、この加熱プレート51を昇温するためのヒーター52が埋設され、また、この加熱プレート51内に、内部を流れる冷却媒体により加熱プレート51を降温するための冷却媒体路56,57が形成されている。加熱プレート51の設定温度を降温する場合、冷却媒体が冷却媒体路56,57に供給されて加熱プレート51が設定温度以下まで一旦降温され、その後、ヒーター52により設定温度まで昇温される。

請求項（抜粋）：

基板に加熱処理を施すための基板加熱処理装置であって、基板を近接または載置して、基板に加熱処理を施す加熱プレートと、この加熱プレート内に埋設され、加熱プレートを昇温するヒーターと、前記加熱プレートを降温するための冷却手段と、前記ヒーターおよび前記冷却手段を制御して、加熱プレートの温度を設定温度に制御する制御手段とを具備することを特徴とする基板加熱処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/30 501

FI (3件)：

G03F 7/30 501 , H01L 21/30 567 , H01L 21/30 566

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-023321
特開平3-119408
半導体予熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-107741 出願人：三浦工業株式会社, 株式会社三浦研究所

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