特許

J-GLOBAL ID：200903010727904590

シリコンウェーハの評価方法

発明者： 竹野 博
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-171528
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368000
出願日： 2001年06月06日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】シリコンウェーハおよびエピウェーハに施されたBSDのゲッタリング能力を、非破壊で、さらに抵抗率に依存することなく高感度で評価することのできるシリコンウェーハの評価方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハのゲッタリング能力を付加するために施されるバックサイドダメージを評価する方法であって、バックサイドダメージを有するシリコンウェーハについて、X線二結晶法を用いてロッキングカーブの幅又は幅の増加量を測定するようにした。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハのゲッタリング能力を付加するために施されるバックサイドダメージを評価する方法であって、バックサイドダメージを有するシリコンウェーハについて、X線二結晶法を用いてロッキングカーブの幅又は幅の増加量を測定することを特徴とするシリコンウェーハの評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  G01N 23/20 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/322 M ,  G01N 23/20 ,  H01L 21/66 N

Fターム (19件)：

2G001AA01 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001DA01 ,  2G001EA01 ,  2G001EA09 ,  2G001FA02 ,  2G001GA03 ,  2G001JA08 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001RA03 ,  4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CA53 ,  4M106DH01 ,  4M106DH25 ,  4M106DH34