特許

J-GLOBAL ID：200903010731569585

強誘電体容量素子の形成方法

発明者： 福本 博文
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-055086
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251549
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路に集積される信頼性の高い強誘電体容量素子を、簡便に、能率良く製造する。【解決手段】 半導体基板上に形成された絶縁膜の表面を化学的機械的研磨法によって研磨して平坦化する。そして平坦化された絶縁膜に下部電極パターンに相当する溝を形成し、さらにこの溝に上部電極パターンに相当する溝を形成する。そして溝が形成された絶縁膜上に下部電極用薄膜、強誘電体薄膜および上部電極用薄膜を順次堆積し、溝の外部の上部電極用薄膜、強誘電体薄膜および下部電極用薄膜を研磨して除去して、溝の内部に下部電極、強誘電体薄膜および上部電極からなる容量素子構造を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上の絶縁膜の表面に所定のパターンの溝を形成する工程、前記溝が形成された絶縁膜上に下部電極用薄膜と強誘電体薄膜と上部電極用薄膜を順次形成する工程、および前記上部電極用薄膜、強誘電体薄膜および下部電極用薄膜の前記溝の内部以外の部分を除去して、前記溝の内部に上部電極、強誘電体薄膜および下部電極からなる容量素子構造を形成する工程、を有することを特徴とする強誘電体容量素子の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371