特許
J-GLOBAL ID：200903010731813311
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-237023
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084161
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 優れた特性の半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本方法は、活性層4の端面4fから、活性層4内に、活性層4に含まれない元素Nを導入し、活性層4の端面4f近傍の領域を、この元素Nを含み、活性層4よりも広いエネルギーバンドギャップを有し、且つ、その中を通じて活性層4内部で発生したレーザ光が出射される化合物材料100fに置換する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体層の端面から、元素を導入し、前記化合物半導体層の前記端面近傍の領域を、前記化合物半導体層よりも広いエネルギーバンドギャップを有する化合物材料に置換する工程を備えることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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