特許
J-GLOBAL ID：200903010732392360
薄膜形成方法およびイオン注入方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213789
公開番号（公開出願番号）：特開平7-065761
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】特定の同位体元素を濃縮した薄膜やイオン注入層を形成する方法により、物質構造の同定や、機能性薄膜デバイスや優れた原子力プラント構造材を提供する。【構成】電磁的質量分離機構を備えた薄膜形成装置を用いて、特定の質量数の同位体元素を含む薄膜を形成するのに際し、該元素の天然同位体存在比とは異なる単体物質あるいは化合物物質を特定の質量数の同位体元素を発生させるための原材料として用いることにより、薄膜あるいはイオン注入層を形成する。【効果】金属結晶の原子レベルでの構造決定,原子力プラント構造材料の低放射化や中性子経済の効率向上が図れる。
請求項（抜粋）：
電磁的質量分離機構を備えた薄膜形成装置を用いて、特定の質量数の同位体元素を含む薄膜を形成するのに際し、該元素の天然同位体存在比とは異なる単体物質あるいは化合物物質を特定の質量数の同位体元素を発生させるための原材料として用いることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (4件)：
H01J 37/05
, C23C 14/48
, H01J 27/18
, H01L 21/265
H01L 21/265 Z
, H01L 21/265 W
