特許
J-GLOBAL ID:200903010740946510
半導体製造・検査装置用ホットプレートユニット
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安富 康男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-178732
公開番号(公開出願番号):特開2003-031457
出願日: 2001年06月13日
公開日(公表日): 2003年01月31日
要約:
【要約】【課題】 半導体製造・検査工程において、半導体ウエハに塗布されたレジスト形成用の樹脂膜等の被加熱物を均一に加熱することにより、半導体ウエハ上に設定通りの導体回路を形成することが可能である半導体製造・検査装置用ホットプレートユニットを提供すること。【解決手段】 ヒータを含んで構成される半導体製造・検査装置用ホットプレートユニットであって、被加熱物を上方に配置されたヒータにより加熱することを特徴とする半導体製造・検査装置用ホットプレートユニット。
請求項(抜粋):
ヒータを含んで構成される半導体製造・検査装置用ホットプレートユニットであって、被加熱物を上方に配置されたヒータにより加熱することを特徴とする半導体製造・検査装置用ホットプレートユニット。
IPC (3件):
H01L 21/027
, H05B 3/10
, H05B 3/68
FI (4件):
H05B 3/10 A
, H05B 3/10 C
, H05B 3/68
, H01L 21/30 567
Fターム (20件):
3K092PP20
, 3K092QA05
, 3K092QB02
, 3K092QB26
, 3K092QB30
, 3K092QB43
, 3K092QB44
, 3K092QB47
, 3K092QB62
, 3K092QB65
, 3K092RE02
, 3K092RE08
, 3K092RF03
, 3K092RF11
, 3K092RF17
, 3K092RF19
, 3K092RF27
, 3K092VV22
, 3K092VV40
, 5F046KA04
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