特許
J-GLOBAL ID：200903010746858877
薄膜フラーレンを含んでいるnチャネル電界効果型トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059209
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264863
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、薄膜フラーレンを含んでいるnチャネル電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 nチャネル電界効果型トランジスタが、そのアクティブ要素として薄膜のフラーレン(たとえばC60)を使って製造される。そのフラーレン膜は、超高真空中のデバイスのサブストレート上にデポジットされ、したがって、実質的に酸素を含まない。その後、そのチェンバの中にまだ存在している間に、フラーレン膜が酸素を通さない材料で封止される。
請求項（抜粋）：
アクティブ要素としてフラーレン膜を含んでいる薄膜電界効果型トランジスタを製造する方法であって、前記方法は、実質的に酸素を含まない前記電界効果型トランジスタのフラーレン膜を形成するステップを含んでいることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/28
, H01L 29/78 617 T
