特許

J-GLOBAL ID：200903010754137534

平坦化層間絶縁膜の形成方法

発明者： 牛膓 哲雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-264440
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106985
出願日： 1995年10月12日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 高濃度の不純物を含むBPSG等の酸化シリコン系絶縁膜を均一な組成で成膜し、低温度リフローする際の膜剥離を防止する。【解決手段】 不純物含有酸化シリコン系絶縁膜の成膜初期および成膜終期には不純物源ガスを遮断し、O3 /TEOSのみのを原料ガスとするCVDで成膜する。【効果】 不純物含有酸化シリコン系絶縁膜の界面に不純物高濃度層が形成されず、均一な組成分布をもつ膜となる。したがって、750°C〜850°Cでの低温リフローが可能となり、TiSi2 を用いた半導体装置においてもシリサイドの凝集によるシート抵抗の上昇を回避できる。

請求項（抜粋）：

有機シリコン系ガス、酸化性ガスおよび不純物源ガスとを原料ガスとするCVD工程により、不純物含有酸化シリコン系絶縁膜を形成した後、前記不純物含有酸化シリコン系絶縁膜をリフローする工程を含む平坦化層間絶縁膜の形成方法であって、前記CVD工程は、前記有機シリコン系ガスおよび前記酸化性ガスによる第1のCVD工程と、前記有機シリコン系ガス、前記酸化性ガスおよび前記不純物源ガスによる第2のCVD工程と、前記有機シリコン系ガスおよび前記酸化性ガスによる第3のCVD工程とを、この順に施すことを特徴とする平坦化層間絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 P