シリコンを化学機械研磨する技術

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-555286
公開番号（公開出願番号）：特表2002-518845
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2002年06月25日
要約：

【要約】基板の化学機械研磨、特に、シリコンを化学機械研磨する技術を提供する。多結晶シリコンのようなシリコン層の化学機械研磨を改善するために、最初にこのシリコン層を酸化物研磨用スラリーで化学機械研磨する。次いで、基板が平坦化されるまで、シリコン層をシリコン研磨用スラリーで化学機械研磨する。基板10は、シリコンウェハ12のような半導電層上に置かれる、二酸化ケイ素のような絶縁層14を含んでいる。この絶縁層14はパターン化されるか、或いはパターン化された下側層上に配置されて、非平面の外表面を提供している。ポリシリコン層16は絶縁層14を覆うように配置される。図示のように、ポリシリコン層16の外表面は殆ど正確に絶縁層14の下側構造を再現して、基板の露出面が非平面となるように一連の山部及び谷部を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上のシリコン層を研磨する方法であって、 (a)自然酸化物を除去するため酸化物研磨用スラリーで前記シリコン層を化学機械研磨する工程と、及び (b)シリコン研磨用スラリーで前記シリコン層を化学機械研磨する工程とを含む方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , H01L 21/304 621 , B24B 37/00 , B24B 37/04 , H01L 21/306

FI (7件)：

H01L 21/304 622 E , H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 X , H01L 21/304 621 B , B24B 37/00 H , B24B 37/04 Z , H01L 21/306 M

Fターム (21件)：

3C058AA06 , 3C058AA07 , 3C058AA18 , 3C058AA19 , 3C058AB03 , 3C058AB08 , 3C058AC04 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 5F043AA09 , 5F043AA10 , 5F043AA11 , 5F043BB02 , 5F043BB03 , 5F043BB04 , 5F043BB22 , 5F043BB30 , 5F043DD16 , 5F043EE08 , 5F043FF07

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