特許
J-GLOBAL ID：200903010756109651
半導体素子の特性測定装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-005349
公開番号（公開出願番号）：特開平8-194012
出願日： 1995年01月18日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：
【要約】【目的】ステージ上の電極のウエーハ表面の端子電極を接触させて特性を測定する場合の接触抵抗を低くして、特性値の誤差を少なくする。【構成】ステージ上の電極を導電性繊維、導電性樹脂、導電性ゴムにて形成して柔軟性を持たせ、ウエーハ表面上に測定針を立てて押圧した際に変形容易にすることにより、ウエーハに反りがあっても均一な接触抵抗が得られる。
請求項（抜粋）：
チップに分割する前のウエーハの状態でウエーハ裏面の素子端子電極に基台表面上の電極を接触させて各素子領域毎に特性を測定するものにおいて、基台表面上の電極が加圧によって変形容易な材料よりなることを特徴とする半導体素子の特性測定装置。
IPC (3件)：
G01R 1/073
, G01R 31/26
, H01L 21/66
