半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065285
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275636
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【構成】 P型半導体基板1上に、ゲート酸化膜3及びゲート電極4を形成した後に、ソース・ドレイン間耐圧制御のために、半導体基板1を法線を軸として回転させながら、斜め方向から、ボロンイオンを注入し、P型イオン注入層5を形成する。次に、しきい値電圧制御のために、同様に、ボロンイオンを斜め方向からイオン注入し、P型イオン注入層6を形成する。その後、ソース・ドレイン領域をイオン注入及びアニール工程によって形成する。【効果】チャネル長がサブミクロンの半導体装置においても、しきい値電圧制御及びソース・ドレイン耐圧制御のできる半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、ゲート酸化膜及びゲート電極を形成する工程と該ゲート電極をマスクとして上記半導体基板表面に上記半導体基板とは反対の導電型の不純物をイオン注入し、熱処理することによりソース領域及びドレイン領域を形成する工程との間に、上記半導体基板の法線方向から所定の傾斜角で、所定の加速エネルギー及び所定のドーズ量で、上記半導体基板を上記法線を回転軸にして回転させた状態で、上記半導体基板と同じ導電型不純物をしきい値電圧制御用イオン注入を行う工程と、上記法線方向から所定の傾斜角で、所定の加速エネルギー及び所定のドーズ量で上記半導体基板を、上記法線を回転軸にして回転させた状態で、上記半導体基板と同じ導電型不純物を上記ソース・ドレイン間耐圧制御用イオン注入を行う工程とを行うことを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/265

FI (5件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/265 V , H01L 21/265 L , H01L 21/265 W , H01L 29/78 301 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-204940
特開昭63-293979
特開平2-217620

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