特許

J-GLOBAL ID：200903010768372650

マスク、結像特性計測方法、及び露光方法

発明者： 林 恒仁
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-364030
公開番号（公開出願番号）：特開2002-169266
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 投影光学系の結像特性の計測に好適に用いることができるマスクを提供する。【解決手段】 マスク(RT)を構成するマスク基板(42)のパターン面(PA)に、第1方向に伸びるラインパターンを含む第1、第3パターン(LS1,LS3)と、第2方向に伸びるラインパターンを含む第2,第4パターン(LS2,LS4)が形成され、線幅が同一とされた第1、第2パターン、並びに第3、第4パターンがそれぞれ対をなしている。従って、例えば、各パターンが基板に転写される1回目の露光と、少なくとも1つのパターンが対をなすパターンの転写像に重ね合せて転写される2回目の露光とを行うことで、パターン同士の重なり部にその周縁部のいずれにおいても同一の解像力である菱形マークの像が形成されるので、該像の所定の長さを計測することにより、投影光学系の種々の結像特性を計測することができる。

請求項（抜粋）：

第1方向に伸びる第1の線幅の少なくとも1本のラインパターンを含む第1パターンと、前記第1方向に対し角度θ(0°<θ<180°)を成す第2方向に伸びる前記第1の線幅の少なくとも1本のラインパターンを含み、前記第1パターンと対を成す第2パターンと、前記第1方向に伸びる第2の線幅の少なくとも1本のラインパターンを含む第3パターンと、前記第2方向に伸びる前記第2の線幅の少なくとも1本のラインパターンを含み、前記第3パターンと対をなす第4パターンとが、相互に重ならないように、光透過部及び光遮光部のいずれかとして、そのパターン面に形成されたマスク基板を備えるマスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  G01B 11/00 ,  G03F 9/02 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 P ,  G01B 11/00 A ,  G03F 9/02 H ,  H01L 21/30 516 A

Fターム (29件)：

2F065AA03 ,  2F065AA39 ,  2F065BB02 ,  2F065BB29 ,  2F065CC20 ,  2F065DD03 ,  2F065FF01 ,  2F065FF42 ,  2F065FF48 ,  2F065FF55 ,  2F065GG04 ,  2F065HH01 ,  2F065JJ01 ,  2F065MM02 ,  2F065PP12 ,  2F065PP24 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ17 ,  2F065QQ42 ,  2H095BD03 ,  2H095BD06 ,  2H095BE03 ,  2H095BE05 ,  2H095BE08 ,  2H095BE09 ,  5F046AA25 ,  5F046DA13 ,  5F046DA14 ,  5F046DB05