エッチバック法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-058725
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151376
出願日： 1991年03月22日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造工程に於て、コンタクトホール,又はビアホール内にCVD法により成膜されたブランケットタングステン膜をエッチバックする方法に関し、コンタクトホール内、ビアホール内に“す”を発生させず、表面を平滑にするエッチバックを行う。【構成】図1(a)にシリコン基板101上に形成されたコンタクトホール内にCVD法でブランケットタングステン膜103が形成されている。本発明のエッチバック法は、このタングステン膜103を塩素ガスを用いてエッチバックする方法である。エッチバック後の断面形状を図1(c)に示す。【効果】塩素ガスを用いてエッチバックすることによりコンタクトホール内に“す”を発生させず、表面の平滑なタングステンのエッチバックが実現できる。

請求項（抜粋）：