特許
J-GLOBAL ID：200903010778795834
シリコン薄膜およびシリコン薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-010201
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198504
出願日： 1992年01月23日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【構成】 ダイヤモンド薄膜上にシリコン薄膜を形成してレーザ照射することにより、工業的に量産できる粒径の大きな多結晶シリコン薄膜を得る。【効果】 工業的に量産が可能なレーザ照射多結晶シリコン薄膜を得ることができる。また、デバイスが発生するジュール熱をダイヤモンド薄膜が放散し、デバイスの安定動作を保証することができる。
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド薄膜に被着形成することを特徴とするシリコン薄膜。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, C30B 29/04
, H01L 21/302
, H01L 21/336
, H01L 29/784
