特許

J-GLOBAL ID：200903010779090133

低速電子線源

発明者： 坂 貴 ,  加藤 俊宏
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025197
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222164
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 取り出される低速電子線のエネルギー分布が十分小さい低速電子線源を提供する。【構成】 励起レーザ光29のエネルギーEが半導体光電層48のバンドギャップエネルギーEg よりも僅かに(36meV 、すなわち100meV以下の範囲で)大きい程度とされるため、低速電子線発生素子10において励起レーザ光29の照射により価電子帯から励起されて伝導帯へ遷移した光電子のエネルギーは比較的低い値となり、直接的に取り出される光電子と散乱後に取り出される光電子とのエネルギー差が小さく、36meV 以下とされる。したがって、エネルギー分布が十分に小さい低速電子線を取り出すことが可能な低速電子線源が得られる。

請求項（抜粋）：

光源と、半導体単結晶薄膜を有する低速電子線発生素子とを備え、該半導体単結晶薄膜の表面を負電子親和力状態とすると共に、前記光源から該半導体単結晶薄膜に励起光を照射することにより、低速電子線を取り出す形式の低速電子線源であって、前記励起光のエネルギーが、前記半導体単結晶薄膜のバンドギャップエネルギーよりも大きく、且つ該バンドギャップエネルギーに100meV加えた値以下の大きさに定められていることを特徴とする低速電子線源。