特許

J-GLOBAL ID：200903010779719198

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 田口 典幸 ,  澤田 康志
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-157445
公開番号（公開出願番号）：特開2001-334147
出願日： 2000年05月26日
公開日（公表日）： 2001年12月04日
要約：

【要約】【課題】 大型化することなく放射ノイズを極力低減することができるプラズマ処理装置を提供する【解決手段】 大気圧近傍の圧力下で、片側を吹き出し口1として開放させた反応容器2内に高周波電圧を印加することによりプラズマを生成する。生成したプラズマを反応容器2の吹き出し口1よりジェット状に吹き出すプラズマ処理装置に関する。反応容器2内に高周波電圧を印加するための対をなす電極3、4と、対をなす電極3、4に逆位相の高周波電圧を印加するための逆位相印加手段5とを備える。基準電位点より計測した各電極3、4に印加される高周波電圧の値は、対をなす電極3、4の間の高周波電圧の値よりも低くすることができる。

請求項（抜粋）：

大気圧近傍の圧力下で、片側を吹き出し口として開放させた反応容器内に高周波電圧を印加することによりプラズマを生成し、生成したプラズマを反応容器の吹き出し口よりジェット状に吹き出すプラズマ処理装置において、反応容器内に高周波電圧を印加するための対をなす電極と、対をなす電極に逆位相の高周波電圧を印加するための逆位相印加手段とを備えて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

B01J 19/08 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

B01J 19/08 H ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 L

Fターム (27件)：

4G075AA22 ,  4G075AA24 ,  4G075BC10 ,  4G075BD03 ,  4G075BD14 ,  4G075BD24 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EA01 ,  4G075EB43 ,  4G075EC01 ,  4G075EC06 ,  4G075EC21 ,  4K057DA01 ,  4K057DA20 ,  4K057DE08 ,  4K057DE14 ,  4K057DE15 ,  4K057DE20 ,  4K057DM01 ,  4K057DM06 ,  4K057DM09 ,  4K057DM20 ,  4K057DM37 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-124250   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平2-177429
  
• プラズマ加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-039043   出願人：株式会社テクノバ
• 特開平4-042907