特許
J-GLOBAL ID：200903010779824528
半導体素子用のはんだバンプ形成材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049857
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251452
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】(1) ワイヤのさらなる細線化を図ってバンプ電極の相互間距離をより小さくし(狭ピッチ化)、LSIの高密度実装(多ピン化)を促進し得るはんだバンプの形成材料を提供する。(2) 急冷凝固法で得たワイヤを用いたバンプ形成に際し、ボール切り離し位置の安定化を図って、半導体装置の耐久性及び信頼性の向上に有用なはんだバンプの形成材料を提供する【構成】(1) Pb,Sn,Inの何か一つの主要元素に対し、0.001 wt%〜1wt%のCu、及び、0.001 wt%〜1wt%のNiを添加せしめたことを特徴とする半導体素子用のはんだバンプ形成材料。(2) 前記(1) の配合組成からなるものを急冷凝固法により細いワイヤ状に作製してなる半導体素子用のはんだバンプ形成材料。
請求項（抜粋）：
Pb,Sn,Inの何か一つの主要元素に対し、0.001 wt%〜1wt%のCu、及び、0.001 wt%〜1wt%のNiを添加せしめたことを特徴とする半導体素子用のはんだバンプ形成材料。
引用特許：
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