特許
J-GLOBAL ID:200903010782915267
半導体集積回路
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-333201
公開番号(公開出願番号):特開2002-141794
出願日: 2000年10月31日
公開日(公表日): 2002年05月17日
要約:
【要約】【課題】集積回路の出力端子に接続される伝送媒体とのインピーダンス整合を可能とし、伝送信号における反射等のノイズを低減させ、より質の高い歪みの少ない伝送信号波形を得る。【解決手段】一定の電流を供給する第1の定電流源CC1 と出力端子との間に接続され、内部回路からの信号に応じてスイッチングされる第1のスイッチ回路SW1と、出力端子と一定の電流を吸い込む第2の定電流源CC2 との間に接続され、第1のスイッチ回路とは相補的にスイッチングされる第2のスイッチ回路SW2 と、第1のバイアス供給回路Vr1と第1のスイッチ回路の一端との間に接続された第1の抵抗回路ZI1 と、第2のバイアス供給回路Vr2と第2のスイッチ回路の一端との間に接続された第2の抵抗回路ZI2 とを具備する。
請求項(抜粋):
一定の電流を供給する第1の定電流源と、前記第1の定電流源に一端が接続され、他端が集積回路出力端子に接続され、内部回路からの信号に応じてスイッチングされる第1のスイッチ回路と、一定の電流を供給する第2の定電流源と、前記第2の定電流源に一端が接続され、他端が集積回路出力端子に接続され、内部回路からの信号に応じて前記第1のスイッチ回路とは相補的にスイッチングされる第2のスイッチ回路と、所望の出力特性を有する第1のバイアス供給回路と、前記第1のバイアス供給回路の出力端と前記第1のスイッチ回路の一端との間に接続された第1の抵抗回路と、所望の出力特性を有する第2のバイアス供給回路と、前記第2のバイアス供給回路の出力端と前記第2のスイッチ回路の一端との間に接続された第2の抵抗回路とを具備することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件):
H03K 19/0175
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H04L 25/02
FI (4件):
H04L 25/02 F
, H03K 19/00 101 Q
, H01L 27/04 F
, H03K 19/00 101 F
Fターム (20件):
5F038AR01
, 5F038AR09
, 5F038AV06
, 5F038AV13
, 5F038AV18
, 5F038CD08
, 5F038DF01
, 5F038EZ20
, 5J056AA04
, 5J056AA40
, 5J056BB24
, 5J056CC01
, 5J056DD29
, 5J056EE11
, 5J056GG09
, 5K029AA02
, 5K029CC01
, 5K029DD03
, 5K029GG07
, 5K029JJ08
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