特許

J-GLOBAL ID：200903010784130402

イオン注入処理方法

発明者： パウエル マーティン ジョン ,  グラッセ カール ,  マーティン バリー フォレスター
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-530464
公開番号（公開出願番号）：特表2001-511953
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：

【要約】イオン注入処理方法は、イオン化された燐源から、P2イオンを選択し且つ水素化燐イオン種を排除するようにイオンを質量分離する工程を具える。P2イオンを半導体基板中に注入する。水素化燐イオン種の排除は容易である。その理由は、(有効質量の点で)P2イオン種に近接する水素化燐イオン種は存在しない為である。P2イオン種の使用は、浅い注入深さに対する注入処理をも改善する。

請求項（抜粋）：

イオン化された燐源から、P2イオンを選択し且つ水素化燐イオン種を排除 するようにイオンを質量分離する工程と、 P2イオンを半導体材料中に注入する工程と を具えることを特徴とするイオン注入処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/05 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

C23C 14/48 A ,  H01J 37/05 ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 P ,  H01L 29/78 616 L