特許

J-GLOBAL ID：200903010784365280

非接触データ・キャリア装置

発明者： 水上 一郎 ,  丸山 勇市
出願人/特許権者： 岩崎通信機株式会社
代理人 (1件)： 内田 公三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260820
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084029
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 小型,軽量,安価で電源不要のデータ・キャリアを実現すること。【構成】 アモルファス合金層に直流磁界-HD をかけるバイアス用磁性体層を積層して、変化する磁界(太い実線の正弦波)をかけると、アモルファス合金層にはバイアスのかかった変化する磁界(太い破線の正弦波)がかかり、大バルクハウゼン効果により、(c)の磁気パルス(パルス間隔TD1 ,TD2 )を得る。HD =0のときには(b)の磁気パルス(パルス間隔T01 ,T02 )を得る。情報であるHD によりパルス間隔が変化するから、パルス間隔を読取れば情報を読める。【効果】 小型,軽量,安価で半永久的に使用可能である。

請求項（抜粋）：

磁界が一定値を横切るとき磁気パルスを発生する磁歪効果を有するアモルファス合金層(11)と、前記アモルファス合金層に情報をあらわす静磁界をバイアス磁界として印加するために前記アモルファス合金層に積層されたバイアス用磁性体層(12)とを有するデータ・キャリア(10)と、前記アモルファス合金層に前記一定値を横切るように変化する磁界を印加するための磁界励起手段(21,22,23)と、前記変化する磁界が前記一定値を横切ったときに前記アモルファス合金層が発生する前記磁気パルスを受けて、前記磁気パルスの間隔を測定することにより前記バイアス磁界のあらわす情報を読取るための情報読取り手段(23,24,25,20)とを含む非接触データ・キャリア装置。

IPC (3件)：

G06K 19/07 ,  G06K 7/08 ,  G06K 19/06

FI (2件)：

G06K 19/00 H ,  G06K 19/00 B