特許

J-GLOBAL ID：200903010785705506

電界放出型冷陰極およびその製造方法

発明者： 小野 富男 ,  酒井 忠司 ,  張 利
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-214877
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063464
出願日： 1995年08月23日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 ゲートとエミッタの距離を小さくすることにより、動作電圧を低下でき、-部のエミッタが破壊してもその影響が全体に及ばないようすることのできる電界放出型冷陰極及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SOΙ基板11上に、Siの異方性エッチングを利用して、上部開口径よりも小さな下部開口径を有する凹部12を形成し、Si02 層13をエッチングし、ホール14を形成した後、SOΙ基板11を回転させながら、Αlを斜め方向から真空蒸着し、Αl層15を形成する。この後、エミッタ材料であるMoを垂直方向からSOΙ基板11に真空蒸着し、ホール14の直径がMo層16の堆積と共に塞がっていくことを利用して、ホール14内にMoを円錐状に堆積させ、エミッタ16aを形成する。

請求項（抜粋）：

導電層が形成された構造基板と、前記導電層上に先端を尖らせて形成されたエミッタ材料製凸部と、前記エミッタ材料製凸部の周囲を囲む絶縁層と、前記絶縁層を覆うように配設され、前記エミッタ材料製凸部の先端方向に、下部開口径が上部開口径より小さくなるよう形成されたな開口部を有する単結晶よりなるゲート層とを具備したことを特徴とする電界放出型冷陰極。

IPC (3件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/12

FI (3件)：

H01J 1/30 C ,  H01J 9/02 B ,  H01J 31/12 C