特許
J-GLOBAL ID：200903010788849606
絶縁膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-111963
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304145
出願日： 1991年05月16日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】[目的] 薄い絶縁膜であって、電気的安定性が良く、かつ、絶縁耐性の優れた絶縁膜の形成方法を提供する。[構成] シリコン(Si)基板上に設けた酸化シリコン(SiO2 )膜上に、窒素含有酸化性ガス雰囲気中で加熱処理を行う。この処理により、酸化シリコン膜が酸窒化(SiOx Ny :但し、x≧0およびy≧0)膜に置換される。この酸窒化膜が形成された構造体を、不活性ガス例えばアルゴンガス中で加熱処理する。
請求項（抜粋）：
下地としての、酸化シリコン膜から成る第1絶縁膜を、窒素含有酸化性ガス中で熱処理を行って第2絶縁膜に置換する工程と、該第2絶縁膜形成により得られた構造体を不活性ガス中で熱処理する工程とを含むことを特徴とする絶縁膜形成方法。
引用特許：
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